碳化硅器件(Silicon Carbide)

碳化硅资料拥有高导热的资料个性，可在高温环境下正常运作。碳化硅功率器件拥有耐高压、高频操作的优势。碳化硅器件可改善系统效能、靠得住性，提升系统功率密度，幼型化电力电子系统。在高靠得住性要求的工业利用、高效电力系统、伺服电源及电力汽车等领域，碳化硅资料比其他新兴资料更具显著优势并被宽泛利用。

碳化硅器件特点

• 碳化硅肖特基二极管拥有高耐压、高导热资料个性，拥有优异的反向复原能力，可改善功率损失，提升系统的效能。

• 碳化硅MOSFET拥有高快开关、低导通电阻等个性，在电力电子高频利用中，能够削减导通切换的功率损失，提升整体系统效能